1. (2023·蚌埠模拟) 可利用炼锌矿渣(主要含Ga₂O₃·3Fe₂O₃ ， ZnO·Fe₂O₃)制备半导体材料GaN并分离Fe和Zn ，其工艺流程如图所示： 

已知：①镓又称为“类铝”，其性质与铝类似；

②一些金属离子开始沉淀和沉淀完全的pH及萃取率如下表所示：

金属离子	Fe3+	Ga3+	Zn2+	Fe2+
开始沉淀	1.7	3.0	5.5	8.0
沉淀完全	3.2	4.9	8.0	9.6
萃取率(%)	99	97 ~98. 5	0	0

回答下列问题：

1. （1） 过滤后，滤液的主要成分是(填化学式)。
3. （2） 固体M为，其作用是。
5. （3） 反萃取的离子方程式为。
7. （4） 合成得到的产物是( CH₃ )₃Ca，经化学气相沉积(类似于取代反应) ，副产物为  (填名称)。
9. （5） GaN晶体结构如图所示，其中Ga原子采取堆积，N原子填在Ga原子所形成的正四面体空隙中，则正四面体空隙的填隙率为。(填隙率=)